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STU70R1K3S

¥2.01
单 FET、MOSFET

DISCRETE

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)77W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-251 (IPAK)
Package/ CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

新闻资讯

STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 STU70R1K3S

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