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PMPB11ENX

¥1.12
单 FET、MOSFET
Nexperia

PMPB11EN/SOT1220/SOT1220

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds840 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDFN2020MD-6
Package/ Case6-UDFN Exposed Pad

新闻资讯

Nexperia 单 FET、MOSFET 产品 PMPB11ENX

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