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AONR36328

¥0.95
单 FET、MOSFET

N

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta), 24W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-DFN-EP (3x3)
Package/ Case8-PowerVDFN

新闻资讯

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