
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 28A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263, TO-220SMD |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
关于 2SK3058-Z-E1-AZ
2SK3058-Z-E1-AZ 是由 日电 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。N-CHANNEL POWER MOSFET。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V。
2SK3058-Z-E1-AZ 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(17mOhm @ 28A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(45 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2100 pF @ 10 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 日电:NEC Corporation 是一家总部位于日本的全球性信息技术公司,成立于1899年。作为一家多元化的企业,NEC 在通信、计算机、电子设备和系统集成等领域拥有广泛的业务。公司致力于通过创新技术解决社会问题,提供包括人工智能、物联网、云计算和网络安全在内的先进解决方案。NEC 在全球范围内拥有强大的市场影响力,尤其在公共安全、交通管理和企业解决方案方面表现突出。公司秉承“通过创新实现社会价值”的理念,不断推动技术进步,助力构建更加智能和可持续的未来。
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新闻资讯
日电 单 FET、MOSFET 产品 2SK3058-Z-E1-AZ
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