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SIDR610EP-T1-RE3

¥27.29
单 FET、MOSFET

N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs31.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1380 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)7.5W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8DC
Package/ CasePowerPAK® SO-8

新闻资讯

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