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TK16G60W5,RVQ

¥23.33
单 FET、MOSFET

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 300 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)130W (Tc)
Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD2PAK
Package/ CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新闻资讯

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