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IRLR7807ZPBF

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单 FET、MOSFET

HEXFET POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds780 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)40W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD-Pak
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

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