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PHK5NQ15T518

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单 FET、MOSFET

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)6.25W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SO
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

新闻资讯

NXP Semiconductors 单 FET、MOSFET 产品 PHK5NQ15T518

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