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FDD3580

¥6.91
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 80V 7.7A DPAK

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1760 pF @ 40 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.8W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FDD3580

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