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NVTFS5116PLWFTWG

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单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1258 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 21W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-WDFN (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerWDFN

新闻资讯

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