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RM80N80HD

¥3.74
单 FET、MOSFET
Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO263-2

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4400 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)170W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-263-2
Package/ CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新闻资讯

Rectron USA 单 FET、MOSFET 产品 RM80N80HD

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