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FQP2N50

¥3.17
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)55W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220-3
Package/ CaseTO-220-3

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FQP2N50

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