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AONR32318

¥6.19
单 FET、MOSFET

N

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6360 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)56W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-DFN-EP (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerWDFN

新闻资讯

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