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RM4N700IP

¥2.52
单 FET、MOSFET
Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)46W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-251
Package/ CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak

新闻资讯

Rectron USA 单 FET、MOSFET 产品 RM4N700IP

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