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RM48N100D3

¥2.15
单 FET、MOSFET
Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)+20V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3280 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)61W (Tc)
Operating Temperature-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-DFN-EP (3x3)
Package/ Case8-PowerVDFN

新闻资讯

Rectron USA 单 FET、MOSFET 产品 RM48N100D3

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