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RM3N700S4

¥2.09
单 FET、MOSFET
Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 700V 3A SOT223

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)6.2W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-223-2
Package/ CaseTO-261-3

新闻资讯

Rectron USA 单 FET、MOSFET 产品 RM3N700S4

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