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FDZ202P

¥2.09
单 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds884 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package12-BGA (2x2.5)
Package/ Case12-WFBGA

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FDZ202P

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