| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 791mW (Ta) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
关于 TPS1100DR
TPS1100DR 是由 德州仪器 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V。
TPS1100DR 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（180mOhm @ 1.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.45 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（+2V, -15V）、Power Dissipation (Max)（791mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德州仪器：德州仪器公司（Texas Instruments Incorporated，简称TI）是一家全球领先的半导体设计和制造企业，专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才，TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。
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新闻资讯
德州仪器 单 FET、MOSFET 产品 TPS1100DR
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