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IRF6712STRPBF

¥5.18
单 FET、MOSFET

IRF6712 - 12V-300V N-CHANNEL POW

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1570 pF @ 13 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.2W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDIRECTFET™ SQ
Package/ CaseDirectFET™ Isometric SQ

新闻资讯

Infineon Technologies 单 FET、MOSFET 产品 IRF6712STRPBF

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