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FCU3400N80Z

¥4.39
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)32W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI-PAK
Package/ CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FCU3400N80Z

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