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FDS6692A

¥3.74
单 FET、MOSFET

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1610 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.47W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SOIC
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FDS6692A

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