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2002A

¥0.80
单 FET、MOSFET

N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)190 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds733 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-6L
Package/ CaseSOT-23-6

新闻资讯

Goford Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 2002A

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