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STWA46N65DM6AG

¥40.46
单 FET、MOSFET

DISCRETE

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3344 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)391W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247 Long Leads
Package/ CaseTO-247-3

新闻资讯

STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 STWA46N65DM6AG

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