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R5021ANJTL

¥24.96
单 FET、MOSFET
罗姆半导体

MOSFET N-CH 500V 21A LPTS

参数名称参数值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)100W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLPTS
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

关于 R5021ANJTL

R5021ANJTL 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 500V 21A LPTS。该器件的核心参数包括:Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10.5A, 10V。

R5021ANJTL 共有 14 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(4.5V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(64 nC @ 10 V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2300 pF @ 25 V)、Power Dissipation (Max)(100W (Tc))、Operating Temperature(150°C (TJ)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 罗姆半导体:罗姆公司成立于1958年,总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件,这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。

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R5021ANJTL 是什么类型的电子元器件?

R5021ANJTL 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 R5021ANJTL 的规格书和引脚图?

本页面提供 R5021ANJTL 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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