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R6008FNJTL

¥24.84
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

参数名称参数值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs950mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds580 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLPTS
Package/ CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 R6008FNJTL

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