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FQD12N20LTM-F085

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单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

参数名称参数值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1080 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 55W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252AA
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

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