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STK184N4F7AG

¥7.13
单 FET、MOSFET

DISCRETE

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2750 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)136W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Package/ CaseSC-100, SOT-669

新闻资讯

STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 STK184N4F7AG

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