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DMTH6005LFG-7

¥3.66
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19.7A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3150 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.38W (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePOWERDI3333-8
Package/ Case8-PowerVDFN

新闻资讯

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