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CSD16321Q5T

¥14.47
单 FET、MOSFET

25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)+10V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3100 pF @ 12.5 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta), 113W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSON-CLIP (5x6)
Package/ Case8-PowerTDFN

新闻资讯

Texas Instruments 单 FET、MOSFET 产品 CSD16321Q5T

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