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SQSA80ENW-T1_GE3

¥7.99
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1358 pF @ 40 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)62.5W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerPAK® 1212-8
Package/ CasePowerPAK® 1212-8

新闻资讯

Vishay/ Siliconix 单 FET、MOSFET 产品 SQSA80ENW-T1_GE3

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