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GPI65015DFN

¥54.00
单 FET、MOSFET
GaNPower

GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 3.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.3 nC @ 6 V
Vgs (Max)+7.5V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds116 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDie
Package/ CaseDie

新闻资讯

GaNPower 单 FET、MOSFET 产品 GPI65015DFN

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