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GT52N10D5

¥11.23
单 FET、MOSFET

N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C71A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2626 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)79W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-DFN (5.2x5.86)
Package/ Case8-PowerTDFN

新闻资讯

Goford Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 GT52N10D5

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