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3400

¥2.74
单 FET、MOSFET

N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds820 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

新闻资讯

Goford Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 3400

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