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CSD19536KTT

¥35.06
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs153 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)375W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDDPAK/TO-263-3
Package/ CaseTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

新闻资讯

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