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RS1G201ATTB1

¥20.81
单 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6890 pF @ 20 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSOP
Package/ Case8-PowerTDFN

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RS1G201ATTB1

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