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RQ7G080BGTCR

¥7.92
单 FET、MOSFET

NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds530 pF @ 20 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.1W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT8
Package/ Case8-SMD, Flat Lead

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RQ7G080BGTCR

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