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RQ7E110AJTCR

¥6.98
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2410 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT8
Package/ Case8-SMD, Flat Lead

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RQ7E110AJTCR

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