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SIRA64DP-T1-RE3

¥6.70
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Vgs (Max)+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3420 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)27.8W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8
Package/ CasePowerPAK® SO-8

新闻资讯

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