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R6511KNXC7G

¥23.69
单 FET、MOSFET

650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)53W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220FM
Package/ CaseTO-220-3 Full Pack

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 R6511KNXC7G

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