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SIHP23N60E-BE3

¥23.26
单 FET、MOSFET

N-CHANNEL 600V

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs158mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2418 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)227W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220AB
Package/ CaseTO-220-3

新闻资讯

Vishay/ Siliconix 单 FET、MOSFET 产品 SIHP23N60E-BE3

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