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PSMN4R8-100YSEX

¥27.86
单 FET、MOSFET
Nexperia

PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8290 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)294W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Package/ CaseSOT-1023, 4-LFPAK

新闻资讯

Nexperia 单 FET、MOSFET 产品 PSMN4R8-100YSEX

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