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TSM085NB03CV RGG

¥11.02
单 FET、MOSFET

30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1101 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.92W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-PDFN (3.15x3.1)
Package/ Case8-PowerWDFN

新闻资讯

Taiwan Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 TSM085NB03CV RGG

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