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RM15P55LD

¥2.02
单 FET、MOSFET
Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 55V 15A TO252-2

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 20 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)35W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252-2
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

Rectron USA 单 FET、MOSFET 产品 RM15P55LD

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