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SI3442DV

¥1.08
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds365 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSuperSOT™-6
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 SI3442DV

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