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RM2301

¥0.30
单 FET、MOSFET
Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 20V 3A SOT23

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

新闻资讯

Rectron USA 单 FET、MOSFET 产品 RM2301

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