| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1233 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Package / Case | TO-247-3 |
关于 SCTW40N120G2V
SCTW40N120G2V 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCTW40N120G2V 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（100mOhm @ 20A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.9V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（61 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1233 pF @ 800 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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SCTW40N120G2V 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
意法半导体 单 FET、MOSFET 产品 SCTW40N120G2V
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