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SIHF8N50D-E3

¥11.95
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds527 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)33W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220 Full Pack
Package/ CaseTO-220-3 Full Pack

新闻资讯

Vishay/ Siliconix 单 FET、MOSFET 产品 SIHF8N50D-E3

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