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STB18N60M6

¥20.45
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)110W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
Package/ CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新闻资讯

STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 STB18N60M6

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