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R6007JND3TL1

¥13.82
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5 nC @ 15 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds475 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)96W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

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