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SI8410DB-T2-E1

¥7.70
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 8 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds620 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package4-Micro Foot (1x1)
Package/ Case4-UFBGA

新闻资讯

Vishay/ Siliconix 单 FET、MOSFET 产品 SI8410DB-T2-E1

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